• 電鍍AuSn20

      為了實現陶瓷基板與芯片之間的高導熱處理,熱導率57.0 W/m•K的金錫共晶AuSn20膜層是最佳的界面材料。力道采用電沉積的方式將金和錫兩種元素,按照質量分數80和20的比例進行共沉積,獲得熔點280℃的共晶薄膜。這種鍍層適宜應用在微電子領域,需要在指定位置的微小區域進行共晶焊接的情況下。尤其適合大功率光電轉化和微波通信領域。

    一、電沉積金錫AuSn20共晶的物理化學性能參數:

    項目 參數 單位 備注
    主要成分 金(Au)和錫(Sn)    
    金含量 75.0-82.0 wt%  
    錫含量 25.0-28.0 wt%  
    晶體結構 共晶(AuSn+Au5Sn)    
    密度 14.51 g/cm3  
    顏色 灰白色    
    制成方法 電沉積    
    電導率 >16.4x10-8 Ω·m 25℃
    熱導系數 >57.0 W/m·K 25℃
    熔點 280.0±2.0  
    熱膨脹系數 1.6x10-6 K 25℃
    拉伸強度 275.0 MPa  
    剪切力 25.0 GPa  
    楊氏模量 68.0 GPa  
    延伸率 2.0%    

    二、電沉積金錫AuSn20共晶的機械加工性能參數:

    性能 參數 單位 備注
    厚度 1.0-20.0 μm  
    線條精度 30.0 μm  
    陶瓷厚度 0.25-1.00 mm  
    焊接條件 320℃真空焊接    
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